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タイトル: m-plane GaN layers grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy with varying Ga/N flux ratios on m-plane 4H-SiC substrates
著者: Armitage, R.
Horita, M.
Suda, J.  KAKEN_id
Kimoto, T.  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
発行日: 2007
出版者: AMER INST PHYSICS
誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻: 101
号: 3
論文番号: 033534
URI: http://hdl.handle.net/2433/67220
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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