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| タイトル: | Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy |
| 著者: | Banal, Ryan G. Funato, Mitsuru    https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)Kawakami, Ybichi |
| キーワード: | Metal-organic vapor-phase epitaxy Nitrides Semiconducting III-V materials |
| 発行日: | 2009 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 311 |
| 号: | 10 |
| 開始ページ: | 2834 |
| 終了ページ: | 2836 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/108909 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.023 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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