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| タイトル: | Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk |
| 著者: | Bardoux, R. Kaneta, A. Funato, M. Kawakami, Y. Kikuchi, A. Kishino, K. |
| キーワード: | biexcitons binding energy gallium compounds III-V semiconductors indium compounds photoluminescence radiative lifetimes semiconductor quantum dots time resolved spectra wide band gap semiconductors |
| 発行日: | 2009 |
| 出版者: | AMER PHYSICAL SOC |
| 誌名: | PHYSICAL REVIEW B |
| 巻: | 79 |
| 号: | 15 |
| 論文番号: | 155307 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/108910 |
| DOI(出版社版): | 10.1103/PhysRevB.79.155307 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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