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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Bardoux, R. | en |
| dc.contributor.author | Kaneta, A. | en |
| dc.contributor.author | Funato, M. | en |
| dc.contributor.author | Kawakami, Y. | en |
| dc.contributor.author | Kikuchi, A. | en |
| dc.contributor.author | Kishino, K. | en |
| dc.date.accessioned | 2010-04-19T05:50:37Z | - |
| dc.date.available | 2010-04-19T05:50:37Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.issn | 1098-0121 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/108910 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | AMER PHYSICAL SOC | en |
| dc.subject | biexcitons | en |
| dc.subject | binding energy | en |
| dc.subject | gallium compounds | en |
| dc.subject | III-V semiconductors | en |
| dc.subject | indium compounds | en |
| dc.subject | photoluminescence | en |
| dc.subject | radiative lifetimes | en |
| dc.subject | semiconductor quantum dots | en |
| dc.subject | time resolved spectra | en |
| dc.subject | wide band gap semiconductors | en |
| dc.title | Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | PHYSICAL REVIEW B | en |
| dc.identifier.volume | 79 | - |
| dc.identifier.issue | 15 | - |
| dc.relation.doi | 10.1103/PhysRevB.79.155307 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dc.identifier.artnum | 155307 | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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