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| タイトル: | High electron mobility achieved in n-channel 4H-SiC MOSFETs oxidized in the presence of nitrogen |
| 著者: | Zippelius, B. Beljakowa, S. Krieger, M. Pensl, G. Reshanov, S. A. Noborio, M. Kimoto, T.    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Afanas'ev, V. V. |
| 発行日: | 2009 |
| 出版者: | WILEY-V C H VERLAG GMBH |
| 誌名: | PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
| 巻: | 206 |
| 号: | 10 |
| 開始ページ: | 2363 |
| 終了ページ: | 2373 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/109590 |
| DOI(出版社版): | 10.1002/pssa.200925089 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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