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タイトル: Elimination of the Major Deep Levels in n- and p-Type 4H-SiC by Two-Step Thermal Treatment
著者: Hiyoshi, Toru
Kimoto, Tsunenobu  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
発行日: 2009
出版者: JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS
誌名: APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻: 2
号: 9
論文番号: 091101
URI: http://hdl.handle.net/2433/109599
DOI(出版社版): 10.1143/APEX.2.091101
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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