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タイトル: 1580-V-40-m Omega . cm(2) Double-RESURF MOSFETs on 4H-SiC (000(1)over-bar)
著者: Noborio, Masato
Suda, Jun
Kimoto, Tsunenobu  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
キーワード: Breakdown voltage
MOSFET
on-resistance
reduced surface field (RESURF)
silicon carbide (SiC)
発行日: 2009
出版者: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
誌名: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
巻: 30
号: 8
開始ページ: 831
終了ページ: 833
URI: http://hdl.handle.net/2433/109602
DOI(出版社版): 10.1109/LED.2009.2023540
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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