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| タイトル: | Reduction of Deep Levels and Improvement of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC by Thermal Oxidation |
| 著者: | Hiyoshi, Toru Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| 発行日: | 2009 |
| 出版者: | JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS EXPRESS |
| 巻: | 2 |
| 号: | 4 |
| 論文番号: | 041101 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/109609 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/APEX.2.041101 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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