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dc.contributor.authorMurase, Hideakien
dc.contributor.authorFujita, Kojien
dc.contributor.authorMurai, Shunsukeen
dc.contributor.authorTanaka, Katsuhisaen
dc.date.accessioned2010-05-10T04:32:28Z-
dc.date.available2010-05-10T04:32:28Z-
dc.date.issued2009-05-
dc.identifier.issn1345-9678-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/109945-
dc.description.abstractSpinel-type 0.4Fe3O4·0.6Fe2TiO4 (molar ratio) solid solution thin films have been deposited on c-sapphire substrates by a pulsed laser deposition technique. A single phase of (111)-oriented solid solution can be obtained by adjusting the oxygen partial pressure and substrate temperature. The epitaxial solid solution thin film exhibits ferrimagnetism with Curie temperature above room temperature and is a semiconductor with n-type conduction carriers. Anomalous Hall effect is observed at room temperature for the solid solution thin films, implying the presence of spin-polarized charge carriers.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherJapan Institute of Metalsen
dc.rightsCopyright (c) 2009 The Japan Institute of Metalsen
dc.subjectferrimagnetic semiconductoren
dc.subjectthin filmen
dc.subjectFe3O4-Fe2TiO4 solid solutionen
dc.subjectpulsed laser depositionen
dc.titleEpitaxial Growth of Room-Temperature Ferrimagnetic Semiconductor Thin Films Based on Fe3O4-Fe2TiO4 Solid Solutionen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.ncidAA1151294X-
dc.identifier.jtitleMATERIALS TRANSACTIONSen
dc.identifier.volume50-
dc.identifier.issue5-
dc.identifier.spage1076-
dc.identifier.epage1080-
dc.relation.doi10.2320/matertrans.MC200804-
dc.textversionpublisher-
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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