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| タイトル: | Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching |
| 著者: | Kawakami, Y. Kaneta, A. Su, L. Zhu, Y. Okamoto, K. Funato, M. Kikuchi, A. Kishino, K. |
| キーワード: | etching gallium compounds III-V semiconductors indium compounds ion beam effects nanofabrication nanopatterning nanostructured materials optical microscopy photoluminescence semiconductor quantum wells stress relaxation wide band gap semiconductors |
| 発行日: | 2010 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| 巻: | 107 |
| 号: | 2 |
| 論文番号: | 023522/1-7 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/146392 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.3280032 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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