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dc.contributor.authorKawakami, Y.en
dc.contributor.authorKaneta, A.en
dc.contributor.authorSu, L.en
dc.contributor.authorZhu, Y.en
dc.contributor.authorOkamoto, K.en
dc.contributor.authorFunato, M.en
dc.contributor.authorKikuchi, A.en
dc.contributor.authorKishino, K.en
dc.date.accessioned2011-09-12T06:24:20Z-
dc.date.available2011-09-12T06:24:20Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.issn0021-8979-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/146392-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.subjectetchingen
dc.subjectgallium compoundsen
dc.subjectIII-V semiconductorsen
dc.subjectindium compoundsen
dc.subjection beam effectsen
dc.subjectnanofabricationen
dc.subjectnanopatterningen
dc.subjectnanostructured materialsen
dc.subjectoptical microscopyen
dc.subjectphotoluminescenceen
dc.subjectsemiconductor quantum wellsen
dc.subjectstress relaxationen
dc.subjectwide band gap semiconductorsen
dc.titleOptical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etchingen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF APPLIED PHYSICSen
dc.identifier.volume107-
dc.identifier.issue2-
dc.relation.doi10.1063/1.3280032-
dc.textversionnone-
dc.identifier.artnum023522/1-7-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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