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| タイトル: | Characteristics of high Al-content AlGaN/AlN quantum wells fabricated by modified migration enhanced epitaxy |
| 著者: | Banal, Ryan G. Funato, Mitsuru    https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)Kawakami, Yoichi https://orcid.org/0000-0003-3752-1507 (unconfirmed) |
| 発行日: | 2010 |
| 出版者: | Wiley |
| 誌名: | PHYSICA STATUS SOLIDI C |
| 巻: | 7 |
| 号: | 7-8 |
| 開始ページ: | 2111 |
| 終了ページ: | 2114 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/146394 |
| DOI(出版社版): | 10.1002/pssc.200983609 |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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