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| タイトル: | Analysis of Hump Characteristics in Thin-Film Transistors With ZnO Channels Deposited by Sputtering at Various Oxygen Partial Pressures |
| 著者: | Furuta, Mamoru Kamada, Yudai Kimura, Mutsumi Hiramatsu, Takahiro Matsuda, Tokiyoshi Furuta, Hiroshi Li, Chaoyang Fujita, Shizuo    https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed)Hirao, Takashi |
| キーワード: | Hump characteristics intrinsic defects sputtering thermal desorption spectroscopy (TDS) thin-film transistors (TFTs) trap density zinc oxide |
| 発行日: | 2010 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
| 巻: | 31 |
| 号: | 11 |
| 開始ページ: | 1257 |
| 終了ページ: | 1259 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/146697 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/LED.2010.2068276 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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