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タイトル: | Enhancement of Carrier Lifetimes in n-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Improved Surface Passivation |
著者: | Kimoto, Tsunenobu ![]() ![]() ![]() Nanen, Yuichiro Hayashi, Toshihiko Suda, Jun ![]() |
発行日: | 2010 |
出版者: | JAPAN SOC APPLIED PHYSICS |
誌名: | APPLIED PHYSICS EXPRESS |
巻: | 3 |
号: | 12 |
論文番号: | 121201 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/146881 |
DOI(出版社版): | 10.1143/APEX.3.121201 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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