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タイトル: Impacts of recombination at the surface and in the substrate on carrier lifetimes of n-type 4H-SiC epilayers
著者: Kimoto, Tsunenobu  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Hiyoshi, Toru
Hayashi, Toshihiko
Suda, Jun
発行日: 2010
出版者: AMER INST PHYSICS
誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻: 108
号: 8
論文番号: 83721
URI: http://hdl.handle.net/2433/146882
DOI(出版社版): 10.1063/1.3498818
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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