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タイトル: | Impacts of recombination at the surface and in the substrate on carrier lifetimes of n-type 4H-SiC epilayers |
著者: | Kimoto, Tsunenobu ![]() ![]() ![]() Hiyoshi, Toru Hayashi, Toshihiko Suda, Jun |
発行日: | 2010 |
出版者: | AMER INST PHYSICS |
誌名: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
巻: | 108 |
号: | 8 |
論文番号: | 83721 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/146882 |
DOI(出版社版): | 10.1063/1.3498818 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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