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| タイトル: | Reduction of deep levels generated by ion implantation into n- and p-type 4H-SiC |
| 著者: | Kawahara, Koutarou Suda, Jun Pensl, Gerhard Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| 発行日: | 2010 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| 巻: | 108 |
| 号: | 3 |
| 論文番号: | 33706 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/146887 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.3456159 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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