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ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
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elex.7.1051.pdf | 553.84 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Switching characteristics of lateral-type and vertical-type SiC JFETs depending on their internal parasitic capacitances |
著者: | Phankong, Nathabhat Funaki, Tsuyoshi ![]() ![]() Hikihara, Takashi ![]() ![]() ![]() |
キーワード: | C-V characteristics switching characteristics SiC JFET device structure |
発行日: | 2010 |
出版者: | IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG |
誌名: | IEICE ELECTRONICS EXPRESS |
巻: | 7 |
号: | 14 |
開始ページ: | 1051 |
終了ページ: | 1057 |
著作権等: | (c) 社団法人電子情報通信学会 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/152258 |
DOI(出版社版): | 10.1587/elex.7.1051 |
関連リンク: | http://www.ieice.org/eng/trans_online/index.html |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |

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