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タイトル: Device-Parameter Estimation through IDDQ Signatures
著者: SHINTANI, Michihiro
SATO, Takashi  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-1577-8259 (unconfirmed)
著者名の別形: 新谷, 道広
佐藤, 高史
キーワード: IDDQ testing
statistical leakage current analysis
Bayes' theorem
発行日: Feb-2013
出版者: The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
誌名: IEICE Transactions on Information and Systems
巻: E96.D
号: 2
開始ページ: 303
終了ページ: 313
抄録: We propose a novel technique for the estimation of device-parameters suitable for postfabrication performance compensation and adaptive delay testing, which are effective means to improve the yield and reliability of LSIs. The proposed technique is based on Bayes' theorem, in which the device-parameters of a chip, such as the threshold voltage of transistors, are estimated by current signatures obtained in a regular IDDQ testing framework. Neither additional circuit implementation nor additional measurement is required for the purpose of parameter estimation. Numerical experiments demonstrate that the proposed technique can achieve 10-mV accuracy in threshold voltage estimations.
著作権等: © 2013 The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
URI: http://hdl.handle.net/2433/178698
DOI(出版社版): 10.1587/transinf.E96.D.303
関連リンク: http://www.ieice.org/jpn/index.html
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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