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|---|---|---|---|---|
| PhysRevLett.109.187603.pdf | 323.18 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Negative-U System of Carbon Vacancy in 4H-SiC |
| 著者: | Son, N. T. Trinh, X. T. Lovlie, L. S. Svensson, B. G. Kawahara, K. Suda, J.  Kimoto, T.   https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Umeda, T. Isoya, J. Makino, T. Ohshima, T. Janzen, E. |
| 発行日: | 31-Oct-2012 |
| 出版者: | American Physical Society (APS) |
| 誌名: | Physical Review Letters |
| 巻: | 109 |
| 号: | 18 |
| 論文番号: | 187603 |
| 抄録: | Using electron paramagnetic resonance (EPR), energy levels of the carbon vacancy (Vc) in 4H-SiC and its negative-U properties have been determined. Combining EPR and deep-level transient spectroscopy we show that the two most common defects in as-grown 4H-SiC—the Z[1/2] lifetime-limiting defect and the EH7 deep defect—are related to the double acceptor (2−|0) and single donor (0|+) levels of Vc, respectively. |
| 著作権等: | © 2012 American Physical Society |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/187997 |
| DOI(出版社版): | 10.1103/PhysRevLett.109.187603 |
| PubMed ID: | 23215331 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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