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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ykogk04241.pdf | Abstract_要旨 | 202.51 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| gkogk04241.pdf | Digest_要約 | 312.2 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Strain-Controlled AlN Growth on SiC Substrates |
| その他のタイトル: | SiC基板上への歪み制御AlN層の成長 |
| 著者: | Kaneko, Mitsuaki |
| 著者名の別形: | 金子, 光顕 |
| キーワード: | Aluminum Nitride Silicon Carbide Crystal Growth Strain Wide Bandgap Semiconductor |
| 発行日: | 23-Sep-2016 |
| 出版者: | 京都大学 (Kyoto University) |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第19997号 |
| 学位記番号: | 工博第4241号 |
| 学位授与年月日: | 2016-09-23 |
| 請求記号: | 新制||工||1656(附属図書館) |
| 整理番号: | 33093 |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 船戸 充 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 学位規則第9条第2項により要約公開 許諾条件により要約は2017-09-20に公開 (2017-09-19修正) |
| DOI: | 10.14989/doctor.k19997 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/217172 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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