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PhysRevLett.121.165702.pdf | 960.98 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Zener Tunneling Breakdown in Phase-Change Materials Revealed by Intense Terahertz Pulses |
著者: | Sanari, Yasuyuki Tachizaki, Takehiro Saito, Yuta Makino, Kotaro Fons, Paul Kolobov, Alexander V. Tominaga, Junji Tanaka, Koichiro Kanemitsu, Yoshihiko https://orcid.org/0000-0002-0788-131X (unconfirmed) Hase, Muneaki Hirori, Hideki https://orcid.org/0000-0001-6056-8675 (unconfirmed) |
著者名の別形: | 佐成, 晏之 立崎, 武弘 齊藤, 雄太 牧野, 孝太郎 富永, 淳二 田中, 耕一郎 金光, 義彦 長谷, 宗明 廣理, 英基 |
発行日: | 19-Oct-2018 |
出版者: | American Physical Society (APS) |
誌名: | Physical Review Letters |
巻: | 121 |
号: | 16 |
論文番号: | 165702 |
抄録: | We have systematically investigated the spatial and temporal dynamics of crystallization that occur in the phase-change material Ge2Sb2Te5 upon irradiation with an intense terahertz (THz) pulse. THz-pump–optical-probe spectroscopy revealed that Zener tunneling induces a nonlinear increase in the conductivity of the crystalline phase. This fact causes the large enhancement of electric field associated with the THz pulses only at the edge of the crystallized area. The electric field concentrating in this area causes a temperature increase via Joule heating, which in turn leads to nanometer-scale crystal growth parallel to the field and the formation of filamentary conductive domains across the sample. |
記述: | 高強度テラヘルツパルスによる相変化材料の新たな結晶成長機構の発見 --ナノスケールの新規メモリデバイス開発に期待--. 京都大学プレスリリース. 2018-10-22. |
著作権等: | Published by the American Physical Society under the terms of the Creative Commons Attribution 4.0 International license. Further distribution of this work must maintain attribution to the author(s) and the published article’s title, journal citation, and DOI. |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/234728 |
DOI(出版社版): | 10.1103/PhysRevLett.121.165702 |
PubMed ID: | 30387634 |
関連リンク: | https://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research-news/2018-10-22 |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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