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ApplPhysLett_88_011908.pdf166.14 kBAdobe PDF見る/開く
タイトル: Epitaxy of nonpolar AlN on 4H-SiC (1-100) substrates
著者: Armitage, R
Suda, J
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
発行日: 2-Jan-2006
出版者: American Institute of Physics
引用: R. Armitage et al., Appl. Phys. Lett. 88, 011908 (2006)
誌名: Applied Physics Letters
巻: 88
号: 1
論文番号: 011908
著作権等: Copyright 2006 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
URI: http://hdl.handle.net/2433/24189
DOI(出版社版): 10.1063/1.2161809
リンク: Web of Science
関連リンク: http://link.aip.org/link/?apl/88/011908
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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