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| ApplPhysLett_87_051912.pdf | 123.98 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC (0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky barrier diodes |
| 著者: | Fujiwara, H Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Tojo, T Matsunami, H |
| 発行日: | 1-Aug-2005 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | H. Fujiwara et al., Appl. Phys. Lett. 87, 051912 (2005) |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 87 |
| 号: | 5 |
| 論文番号: | 051912 |
| 著作権等: | Copyright 2005 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24192 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1997277 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/87/051912 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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