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|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_86_122104.pdf | 55.11 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Midgap levels in both n- and p-type 4H-SiC epilayers investigated by deep level transient spectroscopy |
| 著者: | Danno, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| 発行日: | 21-Mar-2005 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | K. Danno et al., Appl. Phys. Lett. 86, 122104 (2005) |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 86 |
| 号: | 12 |
| 論文番号: | 122104 |
| 著作権等: | Copyright 2005 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24193 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1886904 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/86/122104 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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