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|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_85_1716.pdf | 63.01 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Stability of deep centers in 4H-SiC epitaxial layers during thermal annealing |
| 著者: | Negoro, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| 発行日: | 6-Sep-2004 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | Y. Negoro et al., Appl. Phys. Lett. 85, 1716-1718 (2004) |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 85 |
| 号: | 10 |
| 開始ページ: | 1716 |
| 終了ページ: | 1718 |
| 著作権等: | Copyright 2004 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24195 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1790032 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/85/1716 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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