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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| JApplPhys_96_224.pdf | 303.33 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Electronic behaviors of high-dose phosphorus-ion implanted 4H-SiC(0001) |
| 著者: | Negoro, Y Katsumoto, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| 発行日: | 1-Jul-2004 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | Y. Negoro et al., J. Appl. Phys. 96, 224-228 (2004) |
| 誌名: | Journal of Applied Physics |
| 巻: | 96 |
| 号: | 1 |
| 開始ページ: | 224 |
| 終了ページ: | 228 |
| 著作権等: | Copyright 2004 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24196 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1756213 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?jap/96/224 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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