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タイトル: Shallow states at SiO2/4H-SiC interface on (11(2)over-bar-0) and (0001) faces
著者: Yano, H
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Matsunami, H
発行日: 8-Jul-2002
出版者: American Institute of Physics
引用: H. Yano et al., Appl. Phys. Lett. 81, 301-303 (2002)
誌名: Applied Physics Letters
巻: 81
号: 2
開始ページ: 301
終了ページ: 303
著作権等: Copyright 2002 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
URI: http://hdl.handle.net/2433/24200
DOI(出版社版): 10.1063/1.1492313
リンク: Web of Science
関連リンク: http://link.aip.org/link/?apl/81/301
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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