このアイテムのアクセス数: 656
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_80_3355.pdf | 53.09 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Anisotropy in breakdown field of 4H-SiC |
| 著者: | Nakamura, S Kumagai, H Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| 発行日: | 6-May-2002 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | S. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 80, 3355-3357 (2002) |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 80 |
| 号: | 18 |
| 開始ページ: | 3355 |
| 終了ページ: | 3357 |
| 著作権等: | Copyright 2002 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24201 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1477271 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/80/3355 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。