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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| JApplPhys_91_4242.pdf | 445.42 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | High-energy (MeV) Al and B ion implantations into 4H-SiC and fabrication of pin diodes |
| 著者: | Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Miyamoto, Nao Schoner, Adolf Saitoh, Akira Matsunami, Hiroyuki Asano, Katsunori Sugawara, Yoshitaka |
| 発行日: | 1-Apr-2002 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | T. Kimoto et al., J. Appl. Phys. 91, 4242-4248 (2002) |
| 誌名: | Journal of Applied Physics |
| 巻: | 91 |
| 号: | 7 |
| 開始ページ: | 4242 |
| 終了ページ: | 4248 |
| 著作権等: | Copyright 2002 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24202 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1459096 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?jap/91/4242 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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