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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_80_1586.pdf | 38.3 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | High-purity and high-quality 4H-SiC grown at high speed by chimney-type vertical hot-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Fujihira, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| 発行日: | 4-Mar-2002 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | K. Fujihira et al., Appl. Phys. Lett. 80, 1586 (2002) |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 80 |
| 号: | 9 |
| 開始ページ: | 1586 |
| 終了ページ: | 1588 |
| 著作権等: | Copyright 2002 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24203 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1456968 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/80/1586 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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