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ApplPhysLett_80_240.pdf | 121.83 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Remarkable lattice recovery and low sheet resistance of phosphorus-implanted 4H-SiC (11(2)over-bar0) |
著者: | Negoro, Y Miyamoto, N Kimoto, T https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) Matsunami, H |
発行日: | 14-Jan-2002 |
出版者: | American Institute of Physics |
引用: | Y. Negoro et al., Appl. Phys. Lett. 80 |
誌名: | Applied Physics Letters |
巻: | 80 |
号: | 2 |
開始ページ: | 240 |
終了ページ: | 242 |
著作権等: | Copyright 2002 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/24204 |
DOI(出版社版): | 10.1063/1.1432745 |
リンク: | Web of Science |
関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/80/240 |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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