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|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_79_2761.pdf | 53.93 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition |
| 著者: | Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Nakazawa, Satoshi Hashimoto, Koichi Matsunami, Hiroyuki |
| 発行日: | 22-Oct-2001 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | T. Kimoto et al., Appl. Phys. Lett. 79, 2761-2763 (2001) |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 79 |
| 号: | 17 |
| 開始ページ: | 2761 |
| 終了ページ: | 2763 |
| 著作権等: | Copyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24206 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1413724 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/79/2761 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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