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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| JApplPhys_89_6105.pdf | 84.99 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Chemical vapor deposition and deep level analyses of 4H-SiC(11(2)over-bar0) |
| 著者: | Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Yamamoto, Toshiyuki Chen, Zhi Ying Yano, Hiroshi Matsunami, Hiroyuki |
| 発行日: | 1-Jun-2001 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | T. Kimoto et al., J. Appl. Phys. 89, 6105-6109 (2001) |
| 誌名: | Journal of Applied Physics |
| 巻: | 89 |
| 号: | 11 |
| 開始ページ: | 6105 |
| 終了ページ: | 6109 |
| 著作権等: | Copyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24207 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1368863 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?jap/89/6105 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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