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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_78_374.pdf | 54.24 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | A cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on the (11(2)over-bar0) face |
| 著者: | Yano, Hiroshi Hirao, Taichi Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, Hiroyuki |
| 発行日: | 15-Jan-2001 |
| 出版者: | American Institute of Physics |
| 引用: | H. Yano et al., Appl. Phys. Lett. 78, 374-376 (2001) |
| 誌名: | Applied Physics Letters |
| 巻: | 78 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | 374 |
| 終了ページ: | 376 |
| 著作権等: | Copyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/24208 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1340861 |
| リンク: | Web of Science |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/78/374 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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