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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ykogk04703.pdf | Abstract_要旨 | 201.25 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| dkogk04703.pdf | Dissertation_全文 | 5.5 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Novel molecular ion implantation technology for proximity gettering in silicon wafer for CMOS image sensor |
| その他のタイトル: | CMOSイメージセンサ用Siウェーハにおける近接ゲッタリングのための新規分子イオン注入技術 |
| 著者: | Hirose, Ryo |
| 著者名の別形: | 廣瀬, 諒 |
| キーワード: | proximity gettering technology silicon wafer molecular ion implantation CMOS image sensor ion implantation defect |
| 発行日: | 23-Mar-2020 |
| 出版者: | Kyoto University |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第22442号 |
| 学位記番号: | 工博第4703号 |
| metadata.dc.date.granted: | 2020-03-23 |
| 請求記号: | 新制||工||1734(附属図書館) |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 斉藤 学, 教授 神野 郁夫, 准教授 松尾 二郎 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 題目 ：Proximity gettering of silicon wafers using CH3O multielement molecular ion implantation technique 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:/10.7567/JJAP.57.096503. 題目 ：Proximity gettering technique using CH3O multielement molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab4fc9. 題目 ：Effect of ramping up rate on end of range defect in multielement molecular-ion (CH3O)-implanted silicon wafers 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab358b |
| DOI: | 10.14989/doctor.k22442 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/253278 |
| 関連リンク: | https://doi.org/10.7567/JJAP.57.096503 https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab4fc9 https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab358b |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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