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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ykogk04703.pdf | Abstract_要旨 | 201.25 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| dkogk04703.pdf | Dissertation_全文 | 5.5 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 斉藤, 学 | - |
| dc.contributor.advisor | 神野, 郁夫 | - |
| dc.contributor.advisor | 松尾, 二郎 | - |
| dc.contributor.author | Hirose, Ryo | en |
| dc.contributor.alternative | 廣瀬, 諒 | ja |
| dc.contributor.transcription | ヒロセ, リョウ | ja-Kana |
| dc.date.accessioned | 2020-07-31T05:34:55Z | - |
| dc.date.available | 2020-07-31T05:34:55Z | - |
| dc.date.issued | 2020-03-23 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/253278 | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | Kyoto University | en |
| dc.publisher.alternative | 京都大学 | ja |
| dc.relation.haspart | https://doi.org/10.7567/JJAP.57.096503 | - |
| dc.relation.haspart | https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab4fc9 | - |
| dc.relation.haspart | https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab358b | - |
| dc.rights | 題目 ：Proximity gettering of silicon wafers using CH3O multielement molecular ion implantation technique 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:/10.7567/JJAP.57.096503. 題目 ：Proximity gettering technique using CH3O multielement molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab4fc9. 題目 ：Effect of ramping up rate on end of range defect in multielement molecular-ion (CH3O)-implanted silicon wafers 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab358b | ja |
| dc.subject | proximity gettering technology | en |
| dc.subject | silicon wafer | en |
| dc.subject | molecular ion implantation | en |
| dc.subject | CMOS image sensor | en |
| dc.subject | ion implantation defect | en |
| dc.subject.ndc | 500 | - |
| dc.title | Novel molecular ion implantation technology for proximity gettering in silicon wafer for CMOS image sensor | en |
| dc.title.alternative | CMOSイメージセンサ用Siウェーハにおける近接ゲッタリングのための新規分子イオン注入技術 | ja |
| dc.type | doctoral thesis | - |
| dc.type.niitype | Thesis or Dissertation | - |
| dc.textversion | ETD | - |
| dc.description.degreegrantor | 京都大学 | ja |
| dc.description.degreeuniversitycode | 0048 | - |
| dc.description.degreelevel | 新制・課程博士 | - |
| dc.description.degreediscipline | 博士(工学) | ja |
| dc.description.degreereportnumber | 甲第22442号 | - |
| dc.description.degreenumber | 工博第4703号 | - |
| dc.description.degreekucallnumber | 新制||工||1734(附属図書館) | - |
| dc.date.granted | 2020-03-23 | - |
| dc.description.degreeaffiliation | 京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻 | - |
| dc.description.degreeexamcommittee | (主査)教授 斉藤 学, 教授 神野 郁夫, 准教授 松尾 二郎 | - |
| dc.description.degreeprovision | 学位規則第4条第1項該当 | - |
| dc.identifier.grantid | 14301甲第22442号 | - |
| dc.identifier.selfDOI | 10.14989/doctor.k22442 | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| dc.description.degreediscipline-en | Doctor of Philosophy (Engineering) | en |
| dc.identifier.degreegrantorID | 14301 | - |
| dc.description.degreegrantor-en | Kyoto University | en |
| dc.description.degreeObjectType | DFAM | - |
| jpcoar.contributor.Type | Supervisor | - |
| jpcoar.contributor.Type | Supervisor | - |
| jpcoar.contributor.Type | Supervisor | - |
| jpcoar.contributor.Name | 斉藤, 学 | ja |
| jpcoar.contributor.Name | 神野, 郁夫 | ja |
| jpcoar.contributor.Name | 松尾, 二郎 | ja |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) | |
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