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| タイトル: | Homoepitaxy of 4H-SiC on trenched (0001) Si face substrates by chemical vapor deposition |
| 著者: | Chen, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Takeuchi, Y Malhan, RK Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide homoepitaxy trench structure chemical vapor deposition process characterization |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 43 |
| 号: | 7A |
| 開始ページ: | 4105 |
| 終了ページ: | 4109 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3294 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.43.4105 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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