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タイトル: Specular surface morphology of 4H-SiC epilayers grown on (1120) face
著者: Chen, ZY
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Matsunami, H
キーワード: silicon carbide (SiC)
chemical vapor deposition
surface morphology
atomic force microscopy
stacking fault
発行日: 1999
出版者: JAPAN J APPLIED PHYSICS
誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
巻: 38
号: 12A
開始ページ: L1375
終了ページ: L1378
URI: http://hdl.handle.net/2433/3299
DOI(出版社版): 10.1143/JJAP.38.L1375
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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