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| タイトル: | Fast epitaxial growth of high-purity 4H-SiC(000(1)over-bar) in a vertical hot-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Danno, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Asano, K Sugawara, Y Matsunami, H |
| キーワード: | SiC C face epitaxial growth high purity deep-level transient spectroscopy (DLTS) |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | MINERALS METALS MATERIALS SOC |
| 誌名: | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS |
| 巻: | 34 |
| 号: | 4 |
| 開始ページ: | 324 |
| 終了ページ: | 329 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3338 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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