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| タイトル: | Growth and characterization of 4H-SiC in vertical hot-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Fujihira, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | characterization chemical vapor deposition processes vapor phase epitaxy semiconducting silicon compounds |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 255 |
| 号: | 1-2 |
| 開始ページ: | 136 |
| 終了ページ: | 144 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3457 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0022-0248(03)01245-4 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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