Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics

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http://hdl.handle.net/2433/34851

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タイトル:	Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics
著者:	Negoro, Y Kimoto, T https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) Kataoka, M Takeuchi, Y Malhan, RK Matsunami, H
キーワード:	silicon carbide embedded epitaxial growth trench Pn junction
発行日:	2006
出版者:	ELSEVIER SCIENCE BV
誌名:	MICROELECTRONIC ENGINEERING
巻:	83
号:	1
開始ページ:	27
終了ページ:	29
URI:	http://hdl.handle.net/2433/34851
DOI(出版社版):	10.1016/j.mee.2005.10.018
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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