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| タイトル: | High-temperature deep level transient spectroscopy on As-grown P-type 4H-SiC epilayers |
| 著者: | Danno, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | silicon carbide deep level hole trap midgap DLTS |
| 発行日: | 2006 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS |
| 巻: | 45 |
| 号: | 8-11 |
| 開始ページ: | L285 |
| 終了ページ: | L287 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/35076 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.45.L285 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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