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タイトル: | Fabrication of indium phosphide compound photonic crystal by hydrogen iodide/xenon inductively coupled plasma etching |
著者: | Fujita, M Sugitatsu, A Uesugi, T Noda, S ![]() ![]() ![]() |
キーワード: | dry etching GaInAsP hydrogen iodide (HI) indium phosphide (InP) inductively coupled plasma (ICP) microfabrication photonic crystal |
発行日: | 2004 |
出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS |
巻: | 43 |
号: | 11A |
開始ページ: | L1400 |
終了ページ: | L1402 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/3528 |
DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.43.L1400 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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