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| タイトル: | Epitaxial growth of 4H-SIC on 4 degrees off-axis (0001) and (0001) substrates by hot-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Wada, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Nishikawa, K Matsunami, H |
| キーワード: | crystal morphology hot wall epitaxy vapor-phase epitaxy semiconducting materials |
| 発行日: | 2006 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 291 |
| 号: | 2 |
| 開始ページ: | 370 |
| 終了ページ: | 374 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/35352 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.jcrysgro.2006.03.039 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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