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| タイトル: | Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC (0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky barrier diodes |
| 著者: | Fujiwara, H Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Tojo, T Matsunami, H |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 87 |
| 号: | 5 |
| 論文番号: | 051912 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3542 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1997277 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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