Accumulation of hydrogen near the interface between ultrathin SiO2 and Si(001) under ion irradiation in high-resolution elastic recoil detection

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http://hdl.handle.net/2433/35487

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タイトル:	Accumulation of hydrogen near the interface between ultrathin SiO2 and Si(001) under ion irradiation in high-resolution elastic recoil detection
著者:	Nakajima, K https://orcid.org/0000-0002-5390-1262 (unconfirmed) Imaizumi, R Suzuki, M https://orcid.org/0000-0002-6473-9141 (unconfirmed) Kimura, K
キーワード:	elastic recoil detection (ERD) hydrogen SiO2 irradiation effect
発行日:	2006
出版者:	ELSEVIER SCIENCE BV
誌名:	NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
巻:	249
開始ページ:	425
終了ページ:	428
URI:	http://hdl.handle.net/2433/35487
DOI(出版社版):	10.1016/j.nimb.2006.04.044
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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