Carrier transport and optical properties of InGaNSQW with embedded AlGaN delta-layer

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http://hdl.handle.net/2433/35654

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タイトル:	Carrier transport and optical properties of InGaNSQW with embedded AlGaN delta-layer
著者:	Park, JW Kaneta, A Funato, M https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed) Kawakami, Y https://orcid.org/0000-0003-3752-1507 (unconfirmed)
キーワード:	AlGaN carrier transport delta layer InGaN photoluminescence piezoelectric charge wave function
発行日:	2006
出版者:	IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
誌名:	IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
巻:	42
号:	9-10
開始ページ:	1023
終了ページ:	1030
URI:	http://hdl.handle.net/2433/35654
DOI(出版社版):	10.1109/JQE.2006.881722
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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