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| タイトル: | Source of surface morphological defects formed on 4H-SiC homoepitaxial films |
| 著者: | Okada, T Ochi, K Kawahara, H Tomita, T Matsuo, S Yamaguchi, M Higashimine, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | silicon carbide (SiC) homoepitaxial film surface morphological defect transmission electron microscopy (TEM) micro-Raman spectroscopy zirconia (ZrO2) inclusion sheared Frank dislocation |
| 発行日: | 2006 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 45 |
| 号: | 10A |
| 開始ページ: | 7625 |
| 終了ページ: | 7631 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/35737 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.45.7625 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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