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| タイトル: | A model analysis of feature profile evolution and microscopic uniformity during polysilicon gate etching in Cl-2/O-2 plasmas |
| 著者: | Osano, Y Mori, M Itabashi, N Takahashi, K Eriguchi, K    https://orcid.org/0000-0003-1485-5897 (unconfirmed)Ono, K |
| キーワード: | electron-cyclotron-resonance plasma etching silicon etching chlorine chemistries Monte Carlo simulation feature profile evolution etch anisotropy microscopic uniformity passivation layers |
| 発行日: | 2006 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 45 |
| 号: | 10B |
| 開始ページ: | 8157 |
| 終了ページ: | 8162 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/35781 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.45.8157 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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