Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage

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http://hdl.handle.net/2433/35784

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タイトル:	Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage
著者:	Funaki, T https://orcid.org/0000-0001-8776-5118 (unconfirmed) Matsuzaki, S Kimoto, T https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) Hikihara, T https://orcid.org/0000-0002-0029-4358 (unconfirmed)
キーワード:	C-V characteristics high voltage SiC punch-through parameter extraction
発行日:	2006
出版者:	IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG
誌名:	IEICE ELECTRONICS EXPRESS
巻:	3
号:	16
開始ページ:	379
終了ページ:	384
URI:	http://hdl.handle.net/2433/35784
DOI(出版社版):	10.1587/elex.3.379
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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